微电子所研发成功互补单晶硅垂直沟道晶体管（CVFET） 根据国际器件和系统路线图（IRDS2023），在集成电路逻辑技术领域，互补场效晶体管（CFET）是继FinFET和水平GAA之后的下一代晶体管架构。CFET技术通过将NMOS与PMOS器件垂直堆叠，改变传统平面工艺或FinFET/GAA的水平布局模式，在更小的 单晶硅 晶体管 沟道 cvfet 沟道晶体管 2025-08-28 21:39 2